maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / FGD3N60LSDTM-T
Référence fabricant | FGD3N60LSDTM-T |
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Numéro de pièce future | FT-FGD3N60LSDTM-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FGD3N60LSDTM-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 6A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 25A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
Puissance - Max | 40W |
Énergie de commutation | 250µJ (on), 1mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 12.5nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 40ns/600ns |
Condition de test | 480V, 3A, 470 Ohm, 10V |
Temps de récupération inverse (trr) | 234ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGD3N60LSDTM-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FGD3N60LSDTM-T-FT |
FGD3440G2-F085
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