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FGD3N60LSDTM-T Image

ON Semiconductor FGD3N60LSDTM-T

Numéro de pièce MFG
FGD3N60LSDTM-T
quantité disponible
32070 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FGD3N60LSDTM-T.pdf
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FGD3N60LSDTM-T Caractéristiques

Référence fabricant FGD3N60LSDTM-T
Numéro de pièce future FT-FGD3N60LSDTM-T
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FGD3N60LSDTM-T Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 6A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Puissance - Max 40W
Énergie de commutation 250µJ (on), 1mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 12.5nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/600ns
Condition de test 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Temps de récupération inverse (trr) 234ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGD3N60LSDTM-T Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FGD3N60LSDTM-T-FT

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