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ON Semiconductor FGA50N100BNTD2

Numéro de pièce MFG
FGA50N100BNTD2
quantité disponible
35360 Pièces
Prix de référence
USD 6.8
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FGA50N100BNTD2.pdf
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FGA50N100BNTD2 Caractéristiques

Référence fabricant FGA50N100BNTD2
Numéro de pièce future FT-FGA50N100BNTD2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FGA50N100BNTD2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT NPT and Trench
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Puissance - Max 156W
Énergie de commutation -
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 257nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 34ns/243ns
Condition de test 600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 75ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareils du fournisseur TO-3P
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGA50N100BNTD2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FGA50N100BNTD2-FT

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