maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / STGD4M65DF2
Référence fabricant | STGD4M65DF2 |
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Numéro de pièce future | FT-STGD4M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M |
STGD4M65DF2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 16A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Puissance - Max | 68W |
Énergie de commutation | 40µJ (on), 136µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 15.2nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 12ns/86ns |
Condition de test | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 133ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGD4M65DF2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STGD4M65DF2-FT |
STGB10NC60KDT4
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