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ON Semiconductor FGA30T65SHD

Numéro de pièce MFG
FGA30T65SHD
quantité disponible
72830 Pièces
Prix de référence
USD 2.144512
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FGA30T65SHD.pdf
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FGA30T65SHD Caractéristiques

Référence fabricant FGA30T65SHD
Numéro de pièce future FT-FGA30T65SHD
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FGA30T65SHD Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Puissance - Max 238W
Énergie de commutation 598µJ (on), 167µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 54.7nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 14.4ns/52.8ns
Condition de test 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 31.8ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareils du fournisseur TO-3PN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGA30T65SHD Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FGA30T65SHD-FT

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