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ON Semiconductor HGTG30N60B3D

Numéro de pièce MFG
HGTG30N60B3D
quantité disponible
13440 Pièces
Prix de référence
USD 5.448
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 600V 60A 208W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
HGTG30N60B3D.pdf
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HGTG30N60B3D Caractéristiques

Référence fabricant HGTG30N60B3D
Numéro de pièce future FT-HGTG30N60B3D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HGTG30N60B3D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Puissance - Max 208W
Énergie de commutation 550µJ (on), 680µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 170nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 36ns/137ns
Condition de test 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 55ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTG30N60B3D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HGTG30N60B3D-FT

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