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ON Semiconductor FGA30N120FTDTU
- Numéro de pièce MFG
- FGA30N120FTDTU
- quantité disponible
- 49020 Pièces
- Prix de référence
- USD 5.344
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - IGBT 1200V 60A 339W TO3P
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Simples
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- FGA30N120FTDTU.pdf
FGA30N120FTDTU Caractéristiques
| Référence fabricant | FGA30N120FTDTU |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-FGA30N120FTDTU |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| FGA30N120FTDTU Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60A |
| Courant - collecteur pulsé (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Puissance - Max | 339W |
| Énergie de commutation | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de la porte | 208nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
| Condition de test | - |
| Temps de récupération inverse (trr) | 730ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-3PN |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FGA30N120FTDTU Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | FGA30N120FTDTU-FT |
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