maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / FGA30N120FTDTU
Référence fabricant | FGA30N120FTDTU |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FGA30N120FTDTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FGA30N120FTDTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 90A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 339W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 208nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 730ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGA30N120FTDTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FGA30N120FTDTU-FT |
HGTG20N60B3D
ON Semiconductor
HGTG18N120BN
ON Semiconductor
HGTG18N120BND
ON Semiconductor
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor
HGTG10N120BND
ON Semiconductor
HGTG30N60B3
ON Semiconductor
HGTG20N60B3
ON Semiconductor
HGTG27N120BN
ON Semiconductor
HGTG40N60A4
ON Semiconductor
HGTG40N60B3
ON Semiconductor