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ON Semiconductor HGTG30N60B3

Name: HGTG30N60B3
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTG30N60B3
Price: 4.152 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (724 reviews)

Numéro de pièce MFG: HGTG30N60B3

quantité disponible: 70330 Pièces

Prix de référence: USD 4.152

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - IGBT 600V 60A 208W TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: HGTG30N60B3.pdf

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HGTG30N60B3 Caractéristiques

Référence fabricant	HGTG30N60B3
Numéro de pièce future	FT-HGTG30N60B3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
HGTG30N60B3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	60A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 30A
Puissance - Max	208W
Énergie de commutation	500µJ (on), 680µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	170nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	36ns/137ns
Condition de test	480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTG30N60B3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	HGTG30N60B3-FT

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