maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / FESE16GT-E3/45
Référence fabricant | FESE16GT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FESE16GT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FESE16GT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESE16GT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FESE16GT-E3/45-FT |
VS-20L15T-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ060-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
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AT40K20LV-3BQI
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M2GL025TS-1FCSG325
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A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
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5SGXMA9N3F45I3N
Intel
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Xilinx Inc.