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Référence fabricant | VS-20L15T-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20L15T-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20L15T-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 15V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 520mV @ 40A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10mA @ 15V |
Capacité @ Vr, F | 2000pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20L15T-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20L15T-M3-FT |
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-20STR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation