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Référence fabricant | FES8DT-12HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FES8DT-12HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
FES8DT-12HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 85pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8DT-12HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FES8DT-12HE3/45-FT |
VS-10ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
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5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
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