maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPF6DT-E3/45
Référence fabricant | FEPF6DT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPF6DT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPF6DT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPF6DT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPF6DT-E3/45-FT |
40CTQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
43CTQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
47CTQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division
48CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
60CTQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28E-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28E-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYQ28E-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel