maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYQ28E-100-E3/45
Référence fabricant | BYQ28E-100-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYQ28E-100-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYQ28E-100-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28E-100-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYQ28E-100-E3/45-FT |
VS-63CTQ100-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CTHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CTHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45T-4CSG484C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS20-3VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-3
Intel
XC7K325T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I4L
Intel