maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB16DTHE3/81
Référence fabricant | FEPB16DTHE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB16DTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB16DTHE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16DTHE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB16DTHE3/81-FT |
15CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel