maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 16CTQ080S
Référence fabricant | 16CTQ080S |
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Numéro de pièce future | FT-16CTQ080S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
16CTQ080S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
16CTQ080S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 16CTQ080S-FT |
VS-32CTQ025STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel