maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB16DTHE3/45
Référence fabricant | FEPB16DTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB16DTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB16DTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16DTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB16DTHE3/45-FT |
15CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel