maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB16DTHE3/45
Référence fabricant | FEPB16DTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB16DTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB16DTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16DTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB16DTHE3/45-FT |
15CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
16CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel