maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEP16CT-5001HE3/45
Référence fabricant | FEP16CT-5001HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEP16CT-5001HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
FEP16CT-5001HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16CT-5001HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEP16CT-5001HE3/45-FT |
V20M100M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M100M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
5SGXEA7N3F40I3N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation