maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V30M100M-E3/4W
Référence fabricant | V30M100M-E3/4W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-V30M100M-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
V30M100M-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30M100M-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V30M100M-E3/4W-FT |
MBR30H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100R-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100K-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35100C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel