maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDZ2554P
Référence fabricant | FDZ2554P |
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Numéro de pièce future | FT-FDZ2554P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDZ2554P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V |
Puissance - Max | 2.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 18-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 18-BGA (2.5x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDZ2554P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDZ2554P-FT |
APTM120DU29TG
Microsemi Corporation
APTM120H57FT3G
Microsemi Corporation
APTM120H57FTG
Microsemi Corporation
APTM120VDA57T3G
Microsemi Corporation
APTM20AM05FTG
Microsemi Corporation
APTM20DHM08G
Microsemi Corporation
APTM20DHM10G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16T3G
Microsemi Corporation
APTM20DHM16TG
Microsemi Corporation
APTM20DHM20TG
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation