maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDZ193P
Référence fabricant | FDZ193P |
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Numéro de pièce future | FT-FDZ193P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDZ193P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-WLCSP (1.0x1.5) |
Paquet / caisse | 6-UFBGA, WLCSP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDZ193P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDZ193P-FT |
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XC7A15T-2FTG256C
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Xilinx Inc.
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
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