maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDS8884
Référence fabricant | FDS8884 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDS8884 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDS8884 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 635pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS8884 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS8884-FT |
FQAF10N80
ON Semiconductor
FQAF11N40
ON Semiconductor
FQAF11N90
ON Semiconductor
FQAF12N60
ON Semiconductor
FQAF12P20
ON Semiconductor
FQAF14N30
ON Semiconductor
FQAF15N70
ON Semiconductor
FQAF16N25
ON Semiconductor
FQAF16N25C
ON Semiconductor
FQAF17N40
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel