maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQAF15N70
Référence fabricant | FQAF15N70 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQAF15N70 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQAF15N70 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 120W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PF |
Paquet / caisse | TO-3P-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF15N70 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQAF15N70-FT |
FQU1N60TU
ON Semiconductor
FQU1N80TU
ON Semiconductor
FQU20N06TU
ON Semiconductor
FQU2N50BTU
ON Semiconductor
FQU2N50BTU-WS
ON Semiconductor
FQU2N60TU
ON Semiconductor
FQU2N80TU
ON Semiconductor
FQU2N90TU
ON Semiconductor
FQU2N90TU-AM002
ON Semiconductor
FQU30N06LTU
ON Semiconductor
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel