maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDS6990AS
Référence fabricant | FDS6990AS |
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Numéro de pièce future | FT-FDS6990AS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDS6990AS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 15V |
Puissance - Max | 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6990AS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS6990AS-FT |
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