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FDC6301N Image

ON Semiconductor FDC6301N

Numéro de pièce MFG
FDC6301N
quantité disponible
55560 Pièces
Prix de référence
USD 0.100192
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDC6301N.pdf
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FDC6301N Caractéristiques

Référence fabricant FDC6301N
Numéro de pièce future FT-FDC6301N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDC6301N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V
Puissance - Max 700mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC6301N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDC6301N-FT

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