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ON Semiconductor FDS6812A

Name: FDS6812A
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDS6812A
Availability: InStock
Rating: 4.6 (330 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDS6812A

quantité disponible: 46200 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDS6812A.pdf

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FDS6812A Caractéristiques

Référence fabricant	FDS6812A
Numéro de pièce future	FT-FDS6812A
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDS6812A Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1082pF @ 10V
Puissance - Max	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS6812A Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDS6812A-FT

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