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ON Semiconductor FDMD8900

Numéro de pièce MFG
FDMD8900
quantité disponible
14420 Pièces
Prix de référence
USD 0.774816
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET 2N-CH 30V POWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDMD8900.pdf
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FDMD8900 Caractéristiques

Référence fabricant FDMD8900
Numéro de pièce future FT-FDMD8900
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDMD8900 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2605pF @ 15V
Puissance - Max 2.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 12-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur 12-Power3.3x5
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMD8900 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDMD8900-FT

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