maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDS5680
Référence fabricant | FDS5680 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDS5680 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDS5680 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS5680 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDS5680-FT |
FQAF12P20
ON Semiconductor
FQAF14N30
ON Semiconductor
FQAF15N70
ON Semiconductor
FQAF16N25
ON Semiconductor
FQAF16N25C
ON Semiconductor
FQAF17N40
ON Semiconductor
FQAF17P10
ON Semiconductor
FQAF19N20
ON Semiconductor
FQAF19N20L
ON Semiconductor
FQAF19N60
ON Semiconductor
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel