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FDR6580 Image

ON Semiconductor FDR6580

Numéro de pièce MFG
FDR6580
quantité disponible
66280 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDR6580.pdf
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FDR6580 Caractéristiques

Référence fabricant FDR6580
Numéro de pièce future FT-FDR6580
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDR6580 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3829pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-8
Paquet / caisse 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDR6580 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDR6580-FT

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