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Référence fabricant | CPMF-1200-S080B |
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Numéro de pièce future | FT-CPMF-1200-S080B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Z-FET™ |
CPMF-1200-S080B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 313mW (Tj) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Paquet / caisse | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPMF-1200-S080B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CPMF-1200-S080B-FT |
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