maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDPF5N50NZ
Référence fabricant | FDPF5N50NZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDPF5N50NZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET-II™ |
FDPF5N50NZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF5N50NZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPF5N50NZ-FT |
GP1M011A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
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GP1M015A050H
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GP1M016A025HG
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GP1M016A060H
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GP2M002A060HG
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GP2M002A065HG
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GP2M004A060HG
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
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EP2AGX45DF29I3
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EP4SGX360HF35I4
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