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ON Semiconductor FDPF51N25RDTU

Name: FDPF51N25RDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDPF51N25RDTU
Price: 2.672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (314 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDPF51N25RDTU

quantité disponible: 38140 Pièces

Prix de référence: USD 2.672

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 250V 51A TO220F

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDPF51N25RDTU.pdf

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FDPF51N25RDTU Caractéristiques

Référence fabricant	FDPF51N25RDTU
Numéro de pièce future	FT-FDPF51N25RDTU
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
FDPF51N25RDTU Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220F (LG-Formed)
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDPF51N25RDTU Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDPF51N25RDTU-FT

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