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ON Semiconductor FDP032N08B-F102

Name: FDP032N08B-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP032N08B-F102
Price: 1.209648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (659 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDP032N08B-F102

quantité disponible: 52600 Pièces

Prix de référence: USD 1.209648

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDP032N08B-F102.pdf

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FDP032N08B-F102 Caractéristiques

Référence fabricant	FDP032N08B-F102
Numéro de pièce future	FT-FDP032N08B-F102
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDP032N08B-F102 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	144nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10965pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	263W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP032N08B-F102 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDP032N08B-F102-FT

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