maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMS7572S
Référence fabricant | FDMS7572S |
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Numéro de pièce future | FT-FDMS7572S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDMS7572S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 23A (Ta), 49A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 13V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS7572S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS7572S-FT |
FDFC3N108
ON Semiconductor
NDC631N
ON Semiconductor
NDC632P
ON Semiconductor
NDC651N
ON Semiconductor
NDC652P
ON Semiconductor
SI3442DV
ON Semiconductor
FDY101PZ
ON Semiconductor
FDY301NZ
ON Semiconductor
FDY102PZ
ON Semiconductor
FDY302NZ
ON Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel