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ON Semiconductor SI3442DV

Numéro de pièce MFG
SI3442DV
quantité disponible
72850 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI3442DV.pdf
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SI3442DV Caractéristiques

Référence fabricant SI3442DV
Numéro de pièce future FT-SI3442DV
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SI3442DV Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Vgs (Max) 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3442DV Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI3442DV-FT

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