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ON Semiconductor FDMS4D4N08C

Name: FDMS4D4N08C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS4D4N08C
Price: 1.185032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (669 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDMS4D4N08C

quantité disponible: 33190 Pièces

Prix de référence: USD 1.185032

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDMS4D4N08C.pdf

FDMS4D4N08C Caractéristiques

Référence fabricant	FDMS4D4N08C
Numéro de pièce future	FT-FDMS4D4N08C
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDMS4D4N08C Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	123A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4090pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6), Power56
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS4D4N08C Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDMS4D4N08C-FT

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