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Référence fabricant | FDMS3600S |
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Numéro de pièce future | FT-FDMS3600S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMS3600S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A, 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 13V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | Power56 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3600S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS3600S-FT |
APTM120H29FG
Microsemi Corporation
APTM120H140FT1G
Microsemi Corporation
APTM120DU15G
Microsemi Corporation
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation
APTM10AM02FG
Microsemi Corporation
APTM100H18FG
Microsemi Corporation
APTM100AM90FG
Microsemi Corporation
APTM100A18FTG
Microsemi Corporation
APTM100A13SG
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-2
Intel
EP1S10B672C6
Intel
EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA7H2F35I3LN
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel
EP3SL150F780I3
Intel