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ON Semiconductor FDMS1D4N03S

Name: FDMS1D4N03S
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS1D4N03S
Price: 0.79572 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (144 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDMS1D4N03S

quantité disponible: 93940 Pièces

Prix de référence: USD 0.79572

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench®, SyncFET™ MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDMS1D4N03S.pdf

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FDMS1D4N03S Caractéristiques

Référence fabricant	FDMS1D4N03S
Numéro de pièce future	FT-FDMS1D4N03S
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®, SyncFET™
FDMS1D4N03S Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	211A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10250pF @ 15V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max)	74W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS1D4N03S Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDMS1D4N03S-FT

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