maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMS007N08LC
Référence fabricant | FDMS007N08LC |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDMS007N08LC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMS007N08LC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta), 84A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 120µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS007N08LC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS007N08LC-FT |
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C08NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C760NT1G
ON Semiconductor
SI3420-TP
Micro Commercial Co
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel