maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDMD8430
Référence fabricant | FDMD8430 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMD8430 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMD8430 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Ta), 95A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.12 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5035pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.1W (Ta), 29W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (3.3x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMD8430 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMD8430-FT |
APTMC170AM60CT1AG
Microsemi Corporation
APTMC60TLM14CAG
Microsemi Corporation
APTML602U12R020T3AG
Microsemi Corporation
DMC2053UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2057UVT-13
Diodes Incorporated
DMC3071LVT-13
Diodes Incorporated
DMC3730UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2053UVT-13
Diodes Incorporated
DMN3012LDG-13
Diodes Incorporated
DMN3012LDG-7
Diodes Incorporated
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M16DAF256C7G
Intel
5SGXMA3E2H29I2L
Intel
5SGXMA7H1F35C2LN
Intel
5SGXMA3K3F35C2LN
Intel
LFXP2-30E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3N
Intel