maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDMB2308PZ
Référence fabricant | FDMB2308PZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDMB2308PZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMB2308PZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3030pF @ 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-MLP (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMB2308PZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMB2308PZ-FT |
BSG0813NDIATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L35AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L65AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S461AATMA1
Infineon Technologies
IPG16N10S4L61AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S408AATMA1
Infineon Technologies
IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
M2GL060-FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
5SGSMD6N2F45I3LN
Intel
5SGXEABK3H40C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154I
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-1FFG1923I
Xilinx Inc.