maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMA86265P
Référence fabricant | FDMA86265P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDMA86265P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMA86265P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-MicroFET (2x2) |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMA86265P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMA86265P-FT |
FDC640P
ON Semiconductor
FDC655BN
ON Semiconductor
SI3457DV
ON Semiconductor
FDC658P
ON Semiconductor
FDC8878
ON Semiconductor
FDC365P
ON Semiconductor
FDC606P
ON Semiconductor
FDC8886
ON Semiconductor
FDC637AN
ON Semiconductor
FDC638APZ
ON Semiconductor
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation