maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDC606P
Référence fabricant | FDC606P |
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Numéro de pièce future | FT-FDC606P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDC606P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1699pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SuperSOT™-6 |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC606P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDC606P-FT |
HUF76633P3
ON Semiconductor
HUF76633P3-F085
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HUF76645P3
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AT6010ALV-4AC
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5SGXEA5K3F40I3LN
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5SGXEA3H2F35I3LN
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