maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HUFA75309P3
Référence fabricant | HUFA75309P3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HUFA75309P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UltraFET™ |
HUFA75309P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 19A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 55W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75309P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HUFA75309P3-FT |
FQP1P50
ON Semiconductor
FQP20N06TSTU
ON Semiconductor
FQP22P10
ON Semiconductor
FQP24N08
ON Semiconductor
FQP2N30
ON Semiconductor
FQP2N40
ON Semiconductor
FQP2N50
ON Semiconductor
FQP2N60
ON Semiconductor
FQP2N80
ON Semiconductor
FQP2NA90
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel