maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDM2509NZ
Référence fabricant | FDM2509NZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDM2509NZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDM2509NZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-MicroFET (2x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDM2509NZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDM2509NZ-FT |
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