maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDH50N50
Référence fabricant | FDH50N50 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH50N50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | UniFET™ |
FDH50N50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH50N50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH50N50-FT |
GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M012A060FH
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GP1M013A050FH
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GP1M015A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M016A025FG
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GP1M016A060F
Global Power Technologies Group
GP1M016A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M018A020FG
Global Power Technologies Group
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel