Référence fabricant | FDH444 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH444 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDH444 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 125V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 300mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH444 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH444-FT |
BAT5403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010A03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010B03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS2103WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAT 60B E6433
Infineon Technologies
BAS 16-02W E6327
Infineon Technologies
BAS 70-02W E6327
Infineon Technologies
BAS1602WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002WH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel