maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS3010B03WE6327HTSA1
Référence fabricant | BAS3010B03WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS3010B03WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS3010B03WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS3010B03WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS3010B03WE6327HTSA1-FT |
IDP15E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV08E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDH16G65C6XKSA1
Infineon Technologies
IDP12E120XKSA1
Infineon Technologies
IDP15E60XKSA1
Infineon Technologies
IDP18E120XKSA1
Infineon Technologies
IDP20E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP30E60XKSA1
Infineon Technologies
IDP30E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP40E65D2XKSA1
Infineon Technologies
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel