maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAS3010B03WE6327HTSA1
Référence fabricant | BAS3010B03WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS3010B03WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAS3010B03WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS3010B03WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS3010B03WE6327HTSA1-FT |
IDP15E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV08E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDH16G65C6XKSA1
Infineon Technologies
IDP12E120XKSA1
Infineon Technologies
IDP15E60XKSA1
Infineon Technologies
IDP18E120XKSA1
Infineon Technologies
IDP20E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP30E60XKSA1
Infineon Technologies
IDP30E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP40E65D2XKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.