maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDH047AN08A0
Référence fabricant | FDH047AN08A0 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH047AN08A0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDH047AN08A0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH047AN08A0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH047AN08A0-FT |
GP1M006A065F
Global Power Technologies Group
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
Global Power Technologies Group
GP1M006A070FH
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GP1M007A090FH
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GP1M008A025FG
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GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
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GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
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Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation