maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDG313N
Référence fabricant | FDG313N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDG313N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDG313N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 950mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SC-70-6) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG313N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG313N-FT |
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A90E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK9A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
ZDX130N50
Rohm Semiconductor
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel