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ON Semiconductor FDG313N

Numéro de pièce MFG
FDG313N
quantité disponible
16100 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDG313N.pdf
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FDG313N Caractéristiques

Référence fabricant FDG313N
Numéro de pièce future FT-FDG313N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDG313N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 950mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SC-88 (SC-70-6)
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG313N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDG313N-FT

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