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FDFS2P106A Image

ON Semiconductor FDFS2P106A

Numéro de pièce MFG
FDFS2P106A
quantité disponible
94900 Pièces
Prix de référence
USD 0.511984
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDFS2P106A.pdf
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FDFS2P106A Caractéristiques

Référence fabricant FDFS2P106A
Numéro de pièce future FT-FDFS2P106A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDFS2P106A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 714pF @ 30V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 900mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFS2P106A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDFS2P106A-FT

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