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ON Semiconductor FDFME2P823ZT

Name: FDFME2P823ZT
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFME2P823ZT
Availability: InStock
Rating: 4.6 (704 reviews)

Numéro de pièce MFG: FDFME2P823ZT

quantité disponible: 15950 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FDFME2P823ZT.pdf

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FDFME2P823ZT Caractéristiques

Référence fabricant	FDFME2P823ZT
Numéro de pièce future	FT-FDFME2P823ZT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerTrench®
FDFME2P823ZT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 10V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquet / caisse	6-UFDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFME2P823ZT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FDFME2P823ZT-FT

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